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ROHM——反向恢復(fù)時間trr的影響逆變器電路的優(yōu)化

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發(fā)表于 2022-7-21 21:02:17 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
ROHM——反向恢復(fù)時間trr的影響逆變器電路的優(yōu)化9 V$ p+ a) d  P. B
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時,要選擇trr小的產(chǎn)品,這一點(diǎn)很重要。如果逆變器電路中的開關(guān)器件的trr大,則開關(guān)損耗會增加。如果逆變器電路中的開關(guān)器件是MOSFET,請仔細(xì)確認(rèn)內(nèi)部二極管的trr特性。01反向恢復(fù)時間trr對逆變器電路的影響在逆變器電路中,開關(guān)器件的反向恢復(fù)時間trr(Reverserecoverytime)特性對損耗的影響很大。在這里,我們將使用唯樣商城的“ROHMSolutionSimulator”的“PowerDeviceSolutionCircuit”進(jìn)行仿真,以確認(rèn)trr對逆變器電路的影響。02仿真所用的逆變器電路作為示例,我們使用上一篇文章中給出的PowerDeviceSolutionCircuit一覽表中的逆變器電路“B-6.3-Phase3-WireInverterVo=200VPo=5kW”(圖1)。更改該逆變器電路的開關(guān)器件(黃色框)并進(jìn)行仿真,以確認(rèn)trr的影響。
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