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市場(chǎng)趨勢(shì):中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的本土化程度持續(xù)提高

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發(fā)表于 2022-10-9 15:08:12 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
中國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈的某些部分取得了相當(dāng)大的進(jìn)步,包括硅芯片、電子特長(zhǎng)、刻蝕和沉積設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和清潔設(shè)備、成熟的工藝半導(dǎo)體零部件制造等。
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) d' ]% P: C+ V5 @+ K  中國(guó)政府的資金投入和產(chǎn)業(yè)政策繼續(xù)推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)和國(guó)內(nèi)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展和演變。
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  中國(guó)供應(yīng)商仍然缺乏制造先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)芯片的關(guān)鍵技術(shù)能力,包括先進(jìn)材料、先進(jìn)光刻機(jī)械、過(guò)程控制設(shè)備、尖端工藝技術(shù)等。
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  中國(guó)的半導(dǎo)體制造技術(shù)和市場(chǎng)在過(guò)去10年里迅速增長(zhǎng)。運(yùn)動(dòng)傳感器許多新興本土企業(yè)進(jìn)入半導(dǎo)體制造材料和晶片制造設(shè)備領(lǐng)域,促進(jìn)了本土生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。但是不能忽視的是,中國(guó)企業(yè)在整個(gè)先進(jìn)半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈中仍然明顯落后。7 e% @9 W5 k1 w9 B) M5 R% X
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  另外,目前全球半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈由于傳染病、地緣政治等各種原因,充滿了不確定性和脆弱性,迫使中國(guó)進(jìn)一步提高國(guó)內(nèi)自給自足水平。  M) w6 {5 r2 h% F6 t
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  中國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體制造材料、晶片制造設(shè)備和零部件制造工藝技術(shù)領(lǐng)域的部分領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。角度、線性位置傳感器為了擴(kuò)大半導(dǎo)體制造商可以選擇的國(guó)內(nèi)供應(yīng)商范圍,能夠支持成熟制造過(guò)程的半導(dǎo)體制造的當(dāng)?shù)仄髽I(yè)正在增加。政府的資金投入和產(chǎn)業(yè)政策也在不斷支持半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈上的國(guó)內(nèi)企業(yè),因此研發(fā)ampD投入增加,成本降低,推動(dòng)本土供應(yīng)鏈發(fā)展。  t  L7 x( R/ q9 [& c5 G

5 o# e% Z! @4 Q" F0 v  此外,全球供應(yīng)的不確定性和中斷會(huì)給芯片制造商帶來(lái)額外的風(fēng)險(xiǎn)、成本和更長(zhǎng)的上游配送時(shí)間,從而刺激當(dāng)?shù)夭少?gòu)的增加。, [* M: U4 M/ c0 R8 v5 R( n: B

! l  j  {2 m: X8 d' O  但是,中國(guó)制造商在半導(dǎo)體制造的高級(jí)材料、高級(jí)光刻設(shè)備和尖端工藝部件制造過(guò)程中仍然缺乏核心技術(shù)能力。音頻傳感器此外,美國(guó)的各種出口限制措施(全球供應(yīng)中斷的原因之一)進(jìn)一步限制了中國(guó)當(dāng)?shù)叵冗M(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)能力的發(fā)展。$ U% k  g7 A) e' l( ?7 b. u

5 a, W4 k9 z  F) \9 @5 z* y8 b' [  到2027年,在中國(guó)28納米以上的成熟工藝節(jié)點(diǎn)(包括現(xiàn)有工藝節(jié)點(diǎn))半導(dǎo)體制造中,國(guó)內(nèi)制造商的主要原材料和主要晶片制造設(shè)備的數(shù)量比例預(yù)計(jì)將超過(guò)50%。中國(guó)高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體制造的本地化水平不斷提高,但比成熟工藝節(jié)點(diǎn)制造要快得多,但本地化需要國(guó)內(nèi)廠商做出更多努力。半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈中的中國(guó)企業(yè)在成熟的工藝節(jié)點(diǎn)芯片制造中取得了很大進(jìn)步, }7 g8 z: ?" D$ X, c
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  中國(guó)企業(yè)可以支持半導(dǎo)體制造材料中的一些成熟的工藝節(jié)點(diǎn)芯片制造,包括硅、電子特長(zhǎng)、CMP材料等。在沉積、刻蝕、離子注入、CMP、清潔等主要半導(dǎo)體制造工藝中,中國(guó)設(shè)備企業(yè)可以在某些工藝步驟中支持28納米或14納米工藝節(jié)點(diǎn)的制造。有些產(chǎn)品在某些過(guò)程步驟中可能支持5納米過(guò)程節(jié)點(diǎn)。中國(guó)的材料和設(shè)備供應(yīng)商可以抓住機(jī)會(huì),幫助半導(dǎo)體制造商擴(kuò)大晶片工廠的生產(chǎn)能力,增加成熟流程節(jié)點(diǎn)制造領(lǐng)域的市長(zhǎng)/市場(chǎng)份額。
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  為了降低全球供應(yīng)鏈中斷的風(fēng)險(xiǎn),中國(guó)半導(dǎo)體制造商將加快驗(yàn)證過(guò)程,增加從國(guó)內(nèi)供應(yīng)商購(gòu)買(mǎi)的材料和設(shè)備,進(jìn)一步推動(dòng)當(dāng)?shù)厣鷳B(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。# S6 J  B$ X; S" w5 t" |% q

8 Q* ^' a( t- V( O$ ~: h( B: @  政府資金投入和產(chǎn)業(yè)政策推動(dòng)著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展
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  中國(guó)政府為半導(dǎo)體制造業(yè)設(shè)立了特別投資基金,并出臺(tái)了多種產(chǎn)業(yè)政策。這些措施在過(guò)去10年里直接推動(dòng)了本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生態(tài)。
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( s, o, M- Z0 b; }% O! E* |# ]  中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(CICIIF)通過(guò)鼓勵(lì)越來(lái)越多的本地企業(yè)進(jìn)入供應(yīng)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié),并鼓勵(lì)半導(dǎo)體制造商驗(yàn)證和測(cè)試國(guó)內(nèi)材料和設(shè)備,進(jìn)一步增加本地采購(gòu)。0 y6 ]% O& M2 a  Z$ j- ]5 y- `' N2 ?

; v; H4 t5 ]: p) k, Z1 ?0 W6 N$ E  中國(guó)政府在過(guò)去幾年中出臺(tái)了多項(xiàng)促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的政策。這些政策包括稅收、投資、R & ampd、涉及人才等多個(gè)領(lǐng)域,從不同角度加速中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。其中一項(xiàng)措施降低了原材料制造、晶片制造設(shè)備和芯片制造領(lǐng)域部分企業(yè)的企業(yè)所得稅,取得了立竿見(jiàn)影的效果。這一措施有助于大幅降低國(guó)內(nèi)企業(yè)的成本,為這些企業(yè)提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。' C" U2 ?0 [+ M# N
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  中國(guó)企業(yè)在尖端半導(dǎo)體制造領(lǐng)域仍然缺乏核心技術(shù)能力  {% ]7 z4 m' n& x
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  中國(guó)供應(yīng)商在高級(jí)光刻膠黏劑、高級(jí)光刻設(shè)備和尖端工藝部件制造工藝方面仍然缺乏核心技術(shù)能力。而且,考慮到最近的地緣政治影響,情況變得更加嚴(yán)重。中國(guó)半導(dǎo)體制造將在尖端工藝節(jié)點(diǎn)本地化,但需要很長(zhǎng)時(shí)間。' y- X7 T2 M3 ~& j
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