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Applied Physics Letters | 絕緣體上磷化銦鎵（InGaP-on-Insulator）晶圓級制造工藝

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逍遙設計自動化

發(fā)布時間: 2024-9-30 08:01

正文摘要:

引言: T* G$ Z/ R8 s0 G 集成光電子技術在高速通信、量子信息處理等多個領域帶來了變化。在眾多探索的材料中，磷化銦鎵（InGaP）因其強大的非線性光學特性和寬禁帶而成為極具潛力的候選材料。本文將探討InGaP-on-In ...

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