關(guān)于MOS管的11個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)，帶你梳理一遍，

我應(yīng)該

01 三個(gè)極的判定
8 `8 q. P) ]- G# n; b
$ V! @: j1 y, G% Q# [1 _3 W
* J# B; ^5 Y0 _& \. m4 S
G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)；
! _, b& N% \( OS極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；
D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。

" K* d( }" v5 X; [02 N溝道與P溝道判別
7 S3 I" v/ l/ ~% L2 y8 B- G


箭頭指向G極的是N溝道；
6 x% V' E7 Z! F1 _箭頭背向G極的是P溝道。


0 g, W0 _; F9 D. B, y- T03 寄生二極管方向判定
+ I/ Q: Q5 p- P

3 [' w: M& D: {3 z; ^& m+ }* k( d
不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：

要么都由S指向D，要么都有D指向S。
9 f6 s1 M) T( ~3 R, ^, i
0 `. Q/ O( r8 L' S04 MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能

1）信號(hào)切換
: L, H9 @6 c, |; N% M, P& s2）電壓通斷

05 MOS管用作開關(guān)時(shí)在電路中的連接方法

關(guān)鍵點(diǎn):
" O) K- {; Z7 M1 R8 C; }6 a
1）確定哪一極連接輸入端，哪一極連接輸出端；2）控制極電平為“？V”時(shí)MOS管導(dǎo)通(飽和導(dǎo)通)？3）控制極電平為“？V”時(shí)MOS管截止？

/ A) J; K. @, @% r% Q: K
3 w7 F2 a* h7 ]' ~$ y0 |
1 m2 w3 |' ^$ p2 k5 N1 s
/ T1 M: `# l$ ^' k* d, C- Y/ C5 n$ b$ |NMOS：D極接輸入，S極接輸出；
: D) g% u9 P% ~+ {) |PMOS：S極接輸入，D極接輸出；
1 [4 o) b, l, K) v/ g! P反證法加強(qiáng)理解
NMOS假如：S接輸入，D接輸出；
. p& O8 r8 |$ H. t3 f% n  z+ _
$ Z* v: j5 d) }2 S

由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開關(guān)的作用。
8 ]: Q# K- }" }- n4 I) S8 p. H& c# C
8 W' U  L4 Q8 X" `3 c+ J0 CPMOS假如：D接輸入，S接輸出。
: g6 l8 [. `- E& }; w& K
$ |. b7 I7 C' U# y# L% \& M2 t

( t( d; \) v. w9 F/ i/ o( }同樣失去了開關(guān)的作用。

; e2 v- t0 d5 }- O06 MOS管的開關(guān)條件

N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通；

! V) }  G, `1 r( F# V. EP溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通；
, C, {8 A) r% R% U4 L- I總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|。
& `: [& I% f" @0 r; T. k. e5 k5 Q
07 相關(guān)概念
$ t- p. O3 Z& i2 t; D2 C7 A9 E
BJT

) D) \, `' K, e0 ~Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；
FET
$ O( i. p. G( P0 VField Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
3 Q+ V- d( g1 X9 Q9 B按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）
兩大類
+ V$ T* O* L0 R1 q) m按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
/ }& N4 }. ~2 Z  A* w+ N按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。
' q6 n$ b0 Y( d! Q6 \& \$ J/ w' Y總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

' w/ b- Q& k- w08 MOS管重要參數(shù)
3 n/ W. Z4 `- }4 Y8 ?* d; a5 m
% T$ W7 K' t9 p% G+ }/ Z( X  S# h3 r①封裝
②類型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓）④飽和電流Id⑤導(dǎo)通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th)
4 C% l' }- o' d' L$ w2 e# t" t
9 s8 M5 {9 k7 i1 U09 從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳



無(wú)論是NMOS還是PMOS，按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。
. ^5 V: v% ]/ f; j. Y
. l7 S8 F+ Y; f" b或者這么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。
這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。
' E# j. |" B2 e' P( g管腳編號(hào)



從G腳開始，逆時(shí)針123。
. A; Y( \  W' |3 Y) X" ], U
! ], x$ m" u5 G0 T1 @三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開始，逆時(shí)針123。
' d2 t: ~. j! r* L7 k  r
10 用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS
; C* f- j! Z. {) r! o/ f
借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S，黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值，說(shuō)明是N溝道，若情況相反是P溝道。

( v. j+ ]  p4 K& c! O8 D$ h2 o# y- s11 畫一個(gè)MOS管
# m! u5 U" L! ^% h$ i! H5 |1 d
( `* ^' n0 G, J# Y0 e9 A
# x) T2 `9 `, l5 I1 v
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