Applied Physics Letters | 絕緣體上磷化銦鎵（InGaP-on-Insulator）晶圓級(jí)制造工藝

逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化

引言
! x; u+ J( ]# g; \  g# u8 b* `7 N集成光電子技術(shù)在高速通信、量子信息處理等多個(gè)領(lǐng)域帶來了變化。在眾多探索的材料中，磷化銦鎵（InGaP）因其強(qiáng)大的非線性光學(xué)特性和寬禁帶而成為極具潛力的候選材料。本文將探討InGaP-on-Insulator（InGaPOI）的晶圓級(jí)制造工藝及其在非線性和量子光電子應(yīng)用中的潛力[1]。

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* O8 k' x3 v( J3 a圖1：完成全部制造工藝后的100毫米InGaP-on-Insulator（InGaPOI）晶圓。

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& i& u- L$ p4 ^# G7 S! |2 I9 o6 [- wInGaPOI平臺(tái)：優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
相比于集成光電子中常用的其他材料，InGaP具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其二階非線性極化率（χ(2)）高達(dá)約220 pm/V，是AlGaAs的1.5倍，是鈮酸鋰的10倍。此外，三階非線性極化率（χ(3)）與其他III-V族半導(dǎo)體相當(dāng)。1.9 eV的寬禁帶（對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)645 nm）使得在電信波段進(jìn)行高效非線性過程時(shí)不會(huì)產(chǎn)生顯著的雙光子吸收。

盡管具有這些優(yōu)勢(shì)，InGaP在集成光電子中的廣泛應(yīng)用受到了制造工藝挑戰(zhàn)的限制。開發(fā)可擴(kuò)展、可制造的高質(zhì)量InGaPOI器件工藝對(duì)于實(shí)現(xiàn)其在實(shí)際應(yīng)用中的全部潛力具有重要意義。
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晶圓級(jí)制造工藝
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' P5 h  ?& o1 r8 H圖2：InGaPOI工藝流程圖，展示了制造的關(guān)鍵步驟。

" ]! K0 j" a7 }8 w; O& {  ZInGaPOI的晶圓級(jí)制造涉及幾個(gè)關(guān)鍵步驟：

晶圓鍵合：首先進(jìn)行低溫等離子體活化鍵合，將InGaP外延晶圓與熱氧化硅基底晶圓鍵合。這一步驟需要仔細(xì)檢查和清潔晶圓，以確保高質(zhì)量的鍵合。

襯底去除：使用NH4OH:H2O2濕法刻蝕去除GaAs生長(zhǎng)襯底。然后用稀HF選擇性去除AlGaAs刻蝕停止層。

波導(dǎo)定義：使用原子層沉積（ALD）沉積90 nm厚的SiO2硬掩模。通過深紫外光刻和電感耦合等離子體（ICP）刻蝕定義波導(dǎo)特征。

包覆層和加熱器：沉積30 nm ALD SiO2層和1.5 μm PECVD SiO2層作為波導(dǎo)包覆層。然后在包覆層頂部圖案化Ti/Pt電阻加熱器，用于熱光相位調(diào)諧。

刻面和切割：晶圓進(jìn)行刻面工藝，然后切割成單獨(dú)的芯片進(jìn)行測(cè)試和表征。
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這一工藝可以在單個(gè)100毫米晶圓上制造數(shù)千個(gè)光電子器件，并有潛力擴(kuò)展到200毫米晶圓。
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器件設(shè)計(jì)和優(yōu)化
. w& j, O" ^4 C" H( QInGaPOI器件的設(shè)計(jì)需要仔細(xì)考慮波導(dǎo)幾何結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)不同非線性過程的最佳性能。兩個(gè)主要關(guān)注的過程是自發(fā)四波混頻（SFWM）和自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換（SPDC）。
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圖3：SFWM和SPDC設(shè)計(jì)的模態(tài)截面和色散特性。
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( o" c2 {5 B: C' w. e對(duì)于依賴χ(3)非線性的SFWM，理想的是近零色散波導(dǎo)設(shè)計(jì)。這允許在更寬的帶寬范圍內(nèi)產(chǎn)生糾纏光子對(duì)。模擬表明，400 × 650 nm的波導(dǎo)截面對(duì)于使用基礎(chǔ)TE模式在1550 nm進(jìn)行SFWM是最佳的。

利用χ(2)非線性的SPDC需要泵浦光（通常在775 nm）和產(chǎn)生的光子對(duì)（約1550 nm）之間的相位匹配。由于InGaP的強(qiáng)材料色散，實(shí)現(xiàn)相位匹配需要使用高縱橫比的波導(dǎo)截面。對(duì)于102 nm的波導(dǎo)高度，相位匹配的理想寬度約為1.2 μm。

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引言器件表征和性能
* z, u8 y) s) ]" m5 d4 s為評(píng)估制造的InGaPOI器件質(zhì)量，采用了多種表征技術(shù)。使用可調(diào)諧激光在1530至1600 nm范圍內(nèi)掃描，對(duì)微環(huán)諧振器進(jìn)行線性透射測(cè)量。


圖4：1550-1600 nm范圍內(nèi)的典型環(huán)形諧振器透射譜，插圖顯示了高Q值諧振。
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4 R4 D( E5 _: F8 D: g. W" v6 q透射譜顯示了載荷品質(zhì)因數(shù)（QL）超過200,000的高質(zhì)量諧振。通過將諧振擬合到解析模型，測(cè)得本征品質(zhì)因數(shù)（Qi）高達(dá)440,000，對(duì)應(yīng)1550 nm處的傳播損耗低至1.22 dB/cm。
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/ V. D6 W+ g# V# X1 a5 _8 v2 }圖5：微環(huán)諧振器的傳播損耗與半徑和寬度的關(guān)系，以及整個(gè)晶圓上最高的本征品質(zhì)因數(shù)。

+ R0 b& L, l& S2 ]1 B5 \  P對(duì)制造的器件進(jìn)行進(jìn)一步分析揭示了幾個(gè)重要趨勢(shì)：

傳播損耗隨環(huán)半徑增加而降低，從20 μm半徑時(shí)的約5.4 dB/cm降至40 μm半徑時(shí)的約2.4 dB/cm。

更寬的波導(dǎo)表現(xiàn)出更低的損耗，這是由于與側(cè)壁的模式重疊減少。

在整個(gè)晶圓上持續(xù)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量器件，本征Q因子范圍從194,000到440,000。
[/ol]
& i2 z( m2 e3 J$ y這些結(jié)果展示了晶圓級(jí)制造工藝的優(yōu)異性能和均勻性。
( i& [: G! O" U+ t1 Q( j/ Z

與其他非線性平臺(tái)的比較
InGaPOI在1550 nm處實(shí)現(xiàn)的1.22 dB/cm傳播損耗與其他新興非線性光電子平臺(tái)相比具有競(jìng)爭(zhēng)力。
* _& h1 ~& U: I5 s6 B; O
; H) W* r; F5 w! P: @  t雖然一些材料如AlGaAsOI和絕緣體上鈮酸鋰（LNOI）已經(jīng)展示了更低的損耗，但I(xiàn)nGaPOI平臺(tái)提供了幾個(gè)優(yōu)勢(shì)：

使用深紫外光刻的晶圓級(jí)制造，實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)能和批量生產(chǎn)潛力。

強(qiáng)大的χ(2)和χ(3)非線性，允許多樣化的非線性光學(xué)過程。

寬禁帶，減少了電信波長(zhǎng)下不需要的非線性吸收。
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+ A9 `3 Z$ U& i3 s未來前景和改進(jìn)
; c1 ?# J: \/ f1 b/ |4 a4 p, z當(dāng)前結(jié)果令人鼓舞，但I(xiàn)nGaPOI平臺(tái)仍有改進(jìn)空間：

先前研究表明，使用Al2O3進(jìn)行表面鈍化可以將本征品質(zhì)因數(shù)提高3倍。

使用氘化SiO2作為包覆材料可以在1550 nm處將吸收損耗降低約7倍。

進(jìn)一步優(yōu)化制造工藝，包括改進(jìn)刻蝕技術(shù)和表面處理，可能導(dǎo)致更低的傳播損耗。
[/ol]
這些改進(jìn)可能使InGaPOI器件的性能達(dá)到或超過其他非線性光電子平臺(tái)。

. K1 T; R6 F' B" w結(jié)論
; _, Q7 y9 ^8 e" C高質(zhì)量InGaP-on-Insulator器件的晶圓級(jí)制造是集成非線性和量子光電子技術(shù)發(fā)展的重要進(jìn)展。強(qiáng)大的χ(2)和χ(3)非線性、寬禁帶以及現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)的低損耗波導(dǎo)的組合使InGaPOI成為適用于廣泛應(yīng)用的多功能平臺(tái)。

" H4 q, O! J+ ^# g! R/ J8 w+ o參考文獻(xiàn)
! m% q! C8 s$ e, [" E# I[1] L. Thiel et al., "Wafer-scale fabrication of InGaP-on-insulator for nonlinear and quantum photonic applications," Appl. Phys. Lett., vol. 125, no. 131102, Sep. 2024, doi: 10.1063/5.0225747.

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