MOS管基礎知識

前面章節(jié)講了MOS管的一些特性，就有一些同學留言問能不能講一下MOS管的基礎知識，我前面也說了很多有關(guān)于MOS的文章，那這一章我們還是簡單的說一下MOS管的基礎知識。
     MOS管是FET的一種，可以被制作成增強型和耗盡型，P溝道或N溝道類型，在我們開關(guān)電源設計時，一般使用的是增強型N溝道MOS和增強型P溝道這兩類MOS管，對于這兩類MOS管，我們更常見的應該是NMOS，這是因為我們在選型時都會考慮MOS的導通電阻、最大電壓、最大電流等等因素，相對于P溝道的MOS管，N溝道的MOS管導通電阻較小，且較于容易制作，所以開關(guān)電源中一般都采用NMOS。
        我們在電路圖中一般都可以看到，MOS管的漏極和源極之間有一個寄生二極管，這個二極管我們稱為體二極管，在驅(qū)動負載時，這個二極管起著很重要的作用，還有在原理圖上看不到的是MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，而這個寄生電容對于我們電源設計人員選擇驅(qū)動電路時會麻煩一些，但這個是由于制造工藝限制產(chǎn)生的，是無法避免的。
        對于MOS管導通，N溝道和P溝道是不一樣的，對于N溝道的MOS管，當Vgs大于一定數(shù)值就會導通，所以這類MOS管適合用于源極接地的低端驅(qū)動，只要柵極電壓達到4V或者10V就可以了；而對于PMOS管，當Vgs小于一定的數(shù)值就會導通，適合用于源極接VCC的高端驅(qū)動，雖然PMOS可以很方便的用于高端驅(qū)動，但是由于導通電阻大，價格貴、替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是選擇使用NMOS。
        不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，
這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗�，F(xiàn)在的小功率
MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流
過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損
失。通常開關(guān)損失比導通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大�？s短開關(guān)時間，可以減小每次導通時
的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
       下面，我們以一個例子來簡單說一下NMOS的工作原理：

        Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
        Q1 和Q2 組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3 和Q4 不會同時導
通。
        R2 和R3 提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡
直的位置。
        Q3 和Q4 用來提供驅(qū)動電流，由于導通的時候，Q3 和Q4 相對Vh和GND最低都只有一個Vce
的壓降，這個壓降通常只有 0.3V左右，大大低于 0.7V的Vce。
        R5 和R6 是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5 對Q1 和Q2 的基極產(chǎn)
生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5 和R6 來
調(diào)節(jié)。
        R1 提供了對Q3 和Q4 的基極電流限制，R4 提供了對MOS管的gate電流限制，也就是
Q3 和Q4 的Ice的限制。必要的時候可以在R4 上面并聯(lián)加速電容。