小電帶你學(xué)Multisim|虛擬儀器之模電篇（下）

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Hi，親愛的小伙伴們。上一期咱們介紹了模電中常用的波特圖儀和失真分析儀，它們使用起來還是比較方便和簡單的。今天小電帶大家學(xué)習(xí)稍微復(fù)雜一點兒的伏安特性分析儀，打起精神兒哦~



關(guān)于伏安特性分析儀的小介紹~
伏安特性分析儀簡稱IV分析儀，專門用來測量二極管的伏安特性曲線、晶體管三極管的輸出特性曲線，以及MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線。
    IV分析儀相當(dāng)于實驗室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接電路完全斷開，才能進(jìn)行IV分析儀的連接和測試。

伏安特性分析儀的圖標(biāo)

    上圖是IV分析儀測量晶體三極管的電路�？梢钥闯鯥V分析儀的圖標(biāo)上有三個連接點，如果是測量NPN管或PNP管，那么依次接基極、發(fā)射極和集電極；如果是測量MOS場效應(yīng)管，那么依次接?xùn)艠O、源極和漏極；如果是測量二極管，那么只接左邊的兩個端子，分別接二極管的正極和負(fù)極。

伏安特性分析儀的面板

    上圖是IV分析儀的面板，面板的左側(cè)是顯示窗口，右側(cè)是功能選擇和參數(shù)設(shè)置區(qū)域。對IV分析面板參數(shù)可以進(jìn)行如下設(shè)置：

選擇元器件類型
大家單擊面板右上方的“Components：”的下拉菜單，就可以選擇需要測量的元器件類型，包括二極管（Diode）、NPN管（BJT NPN）、PNP管（BJT PNP）、P溝道MOS場效應(yīng)管（PMOS），以及N溝道MOS場效應(yīng)管（NMOS）。選擇好元器件類型后，在面板右下方會出現(xiàn)所選元器件類型對應(yīng)的提示連接方式圖標(biāo)，小伙伴們可以根據(jù)提示連接圖標(biāo)的三個端子連接電極~

顯示參數(shù)設(shè)置
Current range(A)
用以設(shè)置電流顯示范圍。F是指電流終止值，I表示電流初始值。此外還有對數(shù)坐標(biāo)和線性坐標(biāo)兩種顯示方式可選哦~
Voltage Range(V)
用以設(shè)置電壓顯示范圍。F是指電壓終止值，I表示電壓初始值。同樣也有對數(shù)坐標(biāo)和線性坐標(biāo)兩種顯示方式可選哦~

掃描參數(shù)設(shè)置
單擊“Simulate param.”按鈕，就會彈出參數(shù)設(shè)置對話框。測量元器件選擇不同，彈出的對話框需要設(shè)置的參數(shù)也是不同的。
晶體三極管掃描參數(shù)設(shè)置
上面的介紹中小電給出的IV分析儀的面板圖是測量晶體三極管的特性曲線，單擊圖中的“Simulate param.”,就會彈出晶體三極管的參數(shù)設(shè)置對話框，如下圖所示。


二極管掃描參數(shù)設(shè)置
選擇二極管（Diode）作為測量元器件，如下圖所示，單擊“Simulate param.”按鈕會出現(xiàn)二極管參數(shù)設(shè)置對話框。

由于二極管繪制的是二極管的伏安特性曲線，也就是二極管兩端的電壓和流過二極管的電流之間的關(guān)系，因此橫坐標(biāo)是二極管的電壓，也就是上圖中“Source name V_pn ”項的設(shè)置，圖中的數(shù)值表示起始電壓（Start）為0V，每隔10μV掃描一次，直至終止電壓（Stop）為1V時結(jié)束。
MOS場效應(yīng)管掃描參數(shù)設(shè)置
選擇場效應(yīng)管（NMOS）作為測量元器件，如下圖所示，單擊“Simulate param.”按鈕會出現(xiàn)MOS管參數(shù)設(shè)置對話框。



    今天的欄目到這里就要跟大家說再見啦~模電中常用的虛擬儀器儀表小電都帶大家學(xué)完了哦，下一期開始小電將帶領(lǐng)大家學(xué)習(xí)數(shù)電中常用的虛擬儀器儀表，我們不見不散喲~