ROHM——反向恢復(fù)時(shí)間trr的影響逆變器電路的優(yōu)化

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ROHM——反向恢復(fù)時(shí)間trr的影響逆變器電路的優(yōu)化
& k: ~) e- X: C% e0 T. o+ c本文的關(guān)鍵要點(diǎn)在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時(shí)，要選擇trr小的產(chǎn)品，這一點(diǎn)很重要。如果逆變器電路中的開關(guān)器件的trr大，則開關(guān)損耗會(huì)增加。如果逆變器電路中的開關(guān)器件是MOSFET，請(qǐng)仔細(xì)確認(rèn)內(nèi)部二極管的trr特性。01反向恢復(fù)時(shí)間trr對(duì)逆變器電路的影響在逆變器電路中，開關(guān)器件的反向恢復(fù)時(shí)間trr（Reverserecoverytime）特性對(duì)損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯樣商城的“ROHMSolutionSimulator”的“PowerDeviceSolutionCircuit”進(jìn)行仿真，以確認(rèn)trr對(duì)逆變器電路的影響。02仿真所用的逆變器電路作為示例，我們使用上一篇文章中給出的PowerDeviceSolutionCircuit一覽表中的逆變器電路“B-6.3-Phase3-WireInverterVo=200VPo=5kW”（圖1）。更改該逆變器電路的開關(guān)器件（黃色框）并進(jìn)行仿真，以確認(rèn)trr的影響。