竟有如此精細化片內SRAM電源控制的MCU？

撞上電子

大家好，我是痞子衡，是正經搞技術的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測試角度了解i.MXRTxxx系列片內SRAM分區(qū)電源控制。
我們知道配合 MCU 一起工作的存儲器包含 ROM(Flash) 和 RAM 兩類，前者主要放 RO 代碼和數據，后者放 RW 數據。MCU 可以沒有片內 ROM，但是一般都會包含片內 RAM，這個片內 RAM 功耗是 MCU 整體功耗的重要組成部分。
恩智浦 i.MXRT 四位數系列片內 RAM 主要由 FlexRAM 和 OCRAM 組成，痞子衡寫過一篇文章 《FlexRAM模塊詳解》，里面介紹了 FlexRAM 的電源控制策略。雖然 FlexRAM 也是由多個 Bank 組成，但是其無法做到任意開關每個 Bank，其受既定的組合策略控制（跟隨系統 Low Power 模式），而 OCRAM 則直接是整體開關。就這方面設計而言，i.MXRT 三位數系列片內 SRAM 電源控制則靈活得多，今天痞子衡就重點聊聊這個話題：
一、片內SRAM分區(qū)控制恩智浦 i.MXRT 三位數系列目前主要是 RT500 和 RT600 兩大型號，前者包含 5MB 片內 SRAM，后者包含 4.5MB 片內 SRAM。因為片內 RAM 夠大，所以為其設計的電源控制策略就更精細。
. E+ J! v  n: F3 ?% _+ |9 x下圖是 RT500 上 AXI-to-RAM 架構圖，從圖里我們知道 5MB SRAM 一共被分成了 32 塊（注意不是等分，有 32KB/64KB/128KB/256KB 四種不同大�。�。
  k: U! b4 w  {# e5 p/ ^- RT500 一共 32 個 SRAM 分區(qū)（SRAM0-31）：
- RT600 一共 30 個 SRAM 分區(qū)（SRAM0-29）：
& [! K* \$ ~" }/ \7 o4 a* Q- 不同大小的 SRAM 分區(qū)：
2 l7 O0 I; G( D/ G: b  SRAM0-7   ：32KB
  SRAM8-11  ：64KB
  SRAM12-15 ：128KB
& b( m& M  Z1 f7 s* b2 G  SRAM16-31 ：256KB