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細說晶體管(細說貼片三極管)
" [% V! h. e! r" ^/ ~ 晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
3 B4 Z5 Y+ r% N: Z, X" P 貼片三極管,是內部含有兩個PN結,外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用,應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書刊和實用中都簡稱為TTL電路,它屬于半導體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個獨立的元件。半導體貼片三極管是電路中應用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號為“Q”、“GB”等)表示。
) ?9 r, ~+ C$ y0 P$ g, S6 G 貼片三極管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極 (Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極 (Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地、集電極接地。最常用的用途應該是屬于訊號放大這一方面,其次是阻抗匹配、訊號轉換……等,晶體管在電路中是個很重要的組件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
* c/ S% k/ W2 \" }3 r' S4 m 貼片三極管的導通 貼片三極管處于放大狀態(tài)還是開關狀態(tài)要看給貼片三極管基極加的直流偏置,隨這個電流變化,貼片三極管工作狀態(tài)由截止-線性區(qū)-飽和狀態(tài)變化而變, 如果貼片三極管Ib(直流偏置點)一定時,貼片三極管工作在線性區(qū),此時Ic電流的變化只隨著Ib的交流信號變化,Ib繼續(xù)升高,貼片三極管進入飽和狀態(tài),此時貼片三極管的Ic不再變化,貼片三極管將工作在開關狀態(tài)。6 _- x! ]; d) i
貼片三極管為開關管使用時工作在飽和狀態(tài)1,用放大狀態(tài)1表示不是很科學。+ m4 b3 B4 W. ^' e& c' e0 Z
如何理解貼片三極管的工作狀態(tài),貼片三極管be結和ce結導通貼片三極管才能正常工作。% g! @. D! Q+ _* g2 Z
如果貼片三極管沒有加直流偏置時,放大電路時輸入的交流正弦信號正半周時,基極對發(fā)射極而言是正的,由于發(fā)射結加的是反向電壓,此時沒有基極電流和集電極電流,此時集電極電流變化與基極反相,在輸入電壓的負半周,發(fā)射極電位對于基極電位為正的,此時由于發(fā)射極加的是正向電壓,才有基極和集電極電流通過,此時集電極電流變化與基極同相, 在貼片三極管沒有加直流偏置時貼片三極管be結和ce結導通,貼片三極管放大電路將只有半個波輸出將產生嚴重的失真。
6 F9 q& f, A: U8 |' m6 e 晶體管被認為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一,在重要性方面可以與印刷術,汽車和電話等發(fā)明相提并論。晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關鍵活動(acTIve)元件。晶體管在當今社會的重要性,主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程,進行大規(guī)模生產的能力,因而可以不可思議地達到極低的單位成本。3 N* P, F6 j1 [6 i+ }$ S+ [- ?, @
雖然數(shù)以百萬計的單體晶體管還在使用,但是絕大多數(shù)的晶體管是和電阻、電容一起被裝配在微芯片(芯片)上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。設計和開發(fā)一個復雜芯片的成本是相當高的,但是當分攤到通常百萬個生產單位上,每個芯片的價格就是最小的。一個邏輯門包含20個晶體管,而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數(shù)量達2.89億個。3 S2 r$ O" [6 u3 H! l6 [# j
晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件,例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面,晶體管電路也正在取代電機設備,因為它通常是更便宜、更有效地,僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務,使用電子控制,而不是設計一個等效的機械控制。
& M; r Q. z4 t+ B( ~: ] 因為晶體管的低成本和后來的電子計算機、數(shù)字化信息的浪潮來到了。由于計算機提供快速的查找、分類和處理數(shù)字信息的能力,在信息數(shù)字化方面投入了越來越多的精力。今天的許多媒體是通過電子形式發(fā)布的,最終通過計算機轉化和呈現(xiàn)為模擬形式。受到數(shù)字化革命影響的領域包括電視、廣播和報紙。% P8 r0 c w7 k
【晶體管分類】
N/ l& k* V7 e( m2 x0 s, N 按半導體材料和極性分類' ]" w! J' j$ Y5 c6 U# E
按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。, L$ Y6 P- e: _, N
按結構及制造工藝分類% ]8 _1 c% w, s1 S
晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。7 @4 M" ~% z- n# a/ `
按電流容量分類
( {1 ^$ E) F K% D! B! V 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。$ \6 O1 k5 R0 L+ j
按工作頻率分類
# W9 Z' P: X. U; N 晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。
5 A- `0 i" r/ h3 C2 E b 按封裝結構分類
1 o' D, v6 [* Y+ k( [ 晶體管按封裝結構可分為金屬封裝(簡稱金封)晶體管、塑料封裝(簡稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡稱玻封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。
* O4 r' Z8 i# H8 Y 按功能和用途分類$ a8 V9 X" ?, v9 L$ w
晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。
V/ q8 {- a- ]5 d& r 【晶體管出現(xiàn)的意義】
9 @* E# P/ v' Y) U/ v7 j* s 晶體管的出現(xiàn),是電子技術之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。* W; z. G: ~0 r# L* r! K
同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:
/ [! J# K1 L) B 、倬w管的構件是沒有消耗的。無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。
2 C4 u2 J( _6 [2 z 、诰w管消耗電能極少,僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產生自由電子。一臺晶體管收音機只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去,這對電子管收音機來說,是難以做到的。3 K T) Y" _, m+ ~
③晶體管不需預熱,一開機就工作。例如,晶體管收音機一開就響,晶體管電視機一開就很快出現(xiàn)畫面。電子管設備就做不到這一點。開機后,非得等一會兒才聽得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢的。
2 s; M1 D& r& s 、芫w管結實可靠,比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動,這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。" U O* K+ m: u4 ?3 Q8 Q
正因為晶體管的性能如此優(yōu)越,晶體管誕生之后,便被廣泛地應用于工農業(yè)生產、國防建設以及人們日常生活中。1953年,首批電池式的晶體管收音機一投放市場,就受到人們的熱烈歡迎,人們爭相購買這種收音機。接著,各廠家之間又展開了制造短波晶體管的競賽。此后不久,不需要交流電源的袖珍“晶體管收音機”開始在世界各地出售,又引起了一個新的消費熱潮。. }" t7 j5 V" B. [! \! h
由于硅晶體管適合高溫工作,可以抵抗大氣影響,在電子工業(yè)領域是最受歡迎的產品之一。從1967年以來,電子測量裝置或者電視攝像機如果不是“晶體管化”的,那么就別想賣出去一件。輕便收發(fā)機,甚至車載的大型發(fā)射機也都晶體管化了。3 V& V6 b8 p6 s1 a$ M
另外,晶體管還特別適合用作開關。它也是第二代計算機的基本元件。人們還常常用硅晶體管制造紅外探測器。就連可將太陽能轉變?yōu)殡娔艿碾姵亍柲茈姵匾捕寄苡镁w管制造。這種電池是遨游于太空的人造衛(wèi)星的必不可少的電源。晶體管這種小型簡便的半導體元件還為縫紉機、電鉆和熒光燈開拓了電子控制的途徑。
( s' E: D- {8 a. A' |: w R 從1950年至1960年的十年間,世界主要工業(yè)國家投入了巨額資金,用于研究、開發(fā)與生產晶體管和半導體器件。例如,純凈的鍺或硅半導體,導電性能很差,但加入少量其它元素(稱為雜質)后,導電性能會提高許多。但是要想把定量雜質正確地熔入鍺或硅中,必須在一定的溫度下,通過加熱等方法才能實現(xiàn)。而一旦溫度高于攝氏75度,晶體管就開始失效。為了攻克這一技術難關,美國政府在工業(yè)界投資數(shù)百萬美元,以開展這項新技術的研制工作。在這樣雄厚的財政資助下,沒過多久,人們便掌握了這種高熔點材料的提純、熔煉和擴散的技術。特別是晶體管在軍事計劃和宇宙航行中的威力日益顯露出來以后,為爭奪電子領域的優(yōu)勢地位,世界各國展開了激烈的競爭。為實現(xiàn)電子設備的小型化,人們不惜成本,紛紛給電子工業(yè)以巨大的財政資助。
. e7 u6 _9 Q" V8 J% H9 K2 z 自從1904年弗萊明發(fā)明真空二極管,1906年德福雷斯特發(fā)明真空貼片三極管以來,電子學作為一門新興學科迅速發(fā)展起來。但是電子學真正突飛猛進的進步,還應該是從晶體管發(fā)明以后開始的。尤其是PN結型晶體管的出現(xiàn),開辟了電子器件的新紀元,引起了一場電子技術的革命。在短短十余年的時間里,新興的晶體管工業(yè)以不可戰(zhàn)勝的雄心和年輕人那樣無所顧忌的氣勢,迅速取代了電子管工業(yè)通過多年奮斗才取得的地位,一躍成為電子技術領域的排頭兵。8 @# h7 O& X) N
【晶體管的作用】, u$ p# T2 N) @
。ㄒ唬┛刂拼蠊β+ g' t. s& X( R& a1 J/ x/ Q
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優(yōu)點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,
% |/ i8 M- I' j% c+ H" A$ [ (2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,
c% d: u/ m: F0 v/ X8 ^ (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V,應有盡有.幾年前,晶體管的開關能力還小于10kW。目前,它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力,改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管有效芯片面積的增加,! j' f' _+ m2 w% C' g: o/ o# Q
(2)技術上的簡化,/ }4 W4 F8 k& M. t5 s6 f# y/ K K7 M3 c
(3)晶體管的復合——達林頓,( [6 e, C T( B/ f1 R
(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。 、(二)直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開關能力的方法。
% o ^# z$ l+ c2 S 在這樣的大功率電路中,存在的主要問題是布線。很高的開關速度能在很短的連接線上產生相當高的干擾電壓。6 z. T/ d& G1 q0 o6 d1 A1 }; q
。ㄈ┖唵魏蛢(yōu)化的基極驅動造就的高性能
2 h+ M' _% K ^/ p9 {- x+ ] 今日的基極驅動電路不僅驅動功率晶體管,還保護功率晶體管,稱之為“非集中保護” (和集中保護對照)。集成驅動電路的功能包括:
! a2 I9 ?+ x6 w1 P$ O (1)開通和關斷功率開關;! D: p4 M6 M' L- {' S) ~5 d& P. ~
(2)監(jiān)控輔助電源電壓;
( K1 w2 t3 V( M' b# t% c (3)限制最大和最小脈沖寬度;
* o, K/ j( `1 v0 a g6 y (4)熱保護;
6 d, g. W* A& n9 \5 `* N (5)監(jiān)控開關的飽和壓降。
- r+ D4 K {3 B Z5 O 品牌:ST MICROELECTRONICS SEMI
* O9 o) Y7 T }- }! }( ?: Q7 |# {4 D 型號:BAT54JFILM http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2590.html
3 o: d/ P7 L6 I, r" o 應用范圍:振蕩$ O. @7 _# c* x1 H6 q$ G
材料:其他 O F/ M! p7 J% p
封裝形式:sop dip
% ~1 h/ b' x6 n) e 二極管類型:肖特基
- J5 I& {$ k$ v2 e6 X Voltage-DCReverse(Vr)(Max):40V
' P) f# P9 X. `; w 電流-平均整流(Io):300mA(DC)
: c/ z: G8 G5 O$ w 不同If時的電壓-正向(Vf):900mV @ 100mA
) Z' ?( U( {+ M; y7 F+ u 速度:快速恢復 =< 500 ns,> 200mA(Io)
8 @6 r% |% [" A! J8 h 反向恢復時間(trr):5ns3 C# S$ M$ x) o8 V6 [* ~/ v
不同 Vr時的電流-反向漏電流:1?A @ 30V; `$ \' o. ^" ~; p0 @
不同 Vr,F(xiàn)時的電容:10pF @ 1V,1MHz1 A$ t A5 i- S9 d; T, @7 c. v
安裝類型:表面貼裝
# L9 `( {5 R! [' j8 U 封裝/外殼:SOD-323
5 G0 H1 L, w; ]8 q7 Q 工作溫度-結:-40°C ~ 150°C( a" r0 T* u6 N" l
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4 h; Y0 y% y. R+ J8 ?% q) r6 o% ~
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