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細(xì)說(shuō)貼片三極管

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發(fā)表于 2019-3-7 14:15:05 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
  細(xì)說(shuō)晶體管(細(xì)說(shuō)貼片三極管): {6 |( I$ V* {$ t% t7 P( |' w
  晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān),和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。& T( n1 P2 I- M5 c  q/ V
  貼片三極管,是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié),外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用,應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出級(jí)都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書(shū)刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路,它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件。半導(dǎo)體貼片三極管是電路中應(yīng)用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等)表示。
% {( Y: e) ?; r/ n3 ?8 x3 p  貼片三極管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極 (Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極 (Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地、集電極接地。最常用的用途應(yīng)該是屬于訊號(hào)放大這一方面,其次是阻抗匹配、訊號(hào)轉(zhuǎn)換……等,晶體管在電路中是個(gè)很重要的組件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
. O6 |2 ?+ f8 V2 s" N  貼片三極管的導(dǎo)通 貼片三極管處于放大狀態(tài)還是開(kāi)關(guān)狀態(tài)要看給貼片三極管基極加的直流偏置,隨這個(gè)電流變化,貼片三極管工作狀態(tài)由截止-線性區(qū)-飽和狀態(tài)變化而變, 如果貼片三極管Ib(直流偏置點(diǎn))一定時(shí),貼片三極管工作在線性區(qū),此時(shí)Ic電流的變化只隨著Ib的交流信號(hào)變化,Ib繼續(xù)升高,貼片三極管進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)貼片三極管的Ic不再變化,貼片三極管將工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
% a& L6 K0 u7 l$ d5 u- T  貼片三極管為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)工作在飽和狀態(tài)1,用放大狀態(tài)1表示不是很科學(xué)。
, Y$ \: c1 c0 @  如何理解貼片三極管的工作狀態(tài),貼片三極管be結(jié)和ce結(jié)導(dǎo)通貼片三極管才能正常工作。& E- M7 p" D! y5 e% ?) H2 r
  如果貼片三極管沒(méi)有加直流偏置時(shí),放大電路時(shí)輸入的交流正弦信號(hào)正半周時(shí),基極對(duì)發(fā)射極而言是正的,由于發(fā)射結(jié)加的是反向電壓,此時(shí)沒(méi)有基極電流和集電極電流,此時(shí)集電極電流變化與基極反相,在輸入電壓的負(fù)半周,發(fā)射極電位對(duì)于基極電位為正的,此時(shí)由于發(fā)射極加的是正向電壓,才有基極和集電極電流通過(guò),此時(shí)集電極電流變化與基極同相, 在貼片三極管沒(méi)有加直流偏置時(shí)貼片三極管be結(jié)和ce結(jié)導(dǎo)通,貼片三極管放大電路將只有半個(gè)波輸出將產(chǎn)生嚴(yán)重的失真。6 |! E5 |3 n  o) U* \
  晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一,在重要性方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)(acTIve)元件。晶體管在當(dāng)今社會(huì)的重要性,主要是因?yàn)榫w管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程,進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。5 q5 C! X! t, \( R! i
  雖然數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的單體晶體管還在使用,但是絕大多數(shù)的晶體管是和電阻、電容一起被裝配在微芯片(芯片)上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜芯片的成本是相當(dāng)高的,但是當(dāng)分?jǐn)偟酵ǔ0偃f(wàn)個(gè)生產(chǎn)單位上,每個(gè)芯片的價(jià)格就是最小的。一個(gè)邏輯門包含20個(gè)晶體管,而2005年一個(gè)高級(jí)的微處理器使用的晶體管數(shù)量達(dá)2.89億個(gè)。- p8 H( F0 H- f, z+ m, a! v. {
  晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件,例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)械方面,晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備,因?yàn)樗ǔJ歉阋、更有效地,僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計(jì)算機(jī)程序來(lái)完成同樣的機(jī)械任務(wù),使用電子控制,而不是設(shè)計(jì)一個(gè)等效的機(jī)械控制。; G7 T# G% Z5 V8 \, \" X
  因?yàn)榫w管的低成本和后來(lái)的電子計(jì)算機(jī)、數(shù)字化信息的浪潮來(lái)到了。由于計(jì)算機(jī)提供快速的查找、分類和處理數(shù)字信息的能力,在信息數(shù)字化方面投入了越來(lái)越多的精力。今天的許多媒體是通過(guò)電子形式發(fā)布的,最終通過(guò)計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)化和呈現(xiàn)為模擬形式。受到數(shù)字化革命影響的領(lǐng)域包括電視、廣播和報(bào)紙。
7 j1 m9 J! C; D/ F7 s+ i: R0 T) i  【晶體管分類】5 h9 i, U# P- X2 h8 E' w0 T5 i
  按半導(dǎo)體材料和極性分類0 U4 g$ v% p; W6 ^* w
  按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。
: A/ n  l! N- H* ^( V! W, R  按結(jié)構(gòu)及制造工藝分類
$ z: [3 \9 X/ w) h2 a  晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。1 U2 G: \9 Q3 c4 W- E, O6 z+ K3 Q
  按電流容量分類9 U  @9 r- s* V  H7 Z+ m4 l
  晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。1 y( r# G+ v; T. k+ E# K! p5 C
  按工作頻率分類
* l0 n- y, N# X# c: ~- x( I  晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。
6 C' ~1 I, C9 U( [; r' N- A  按封裝結(jié)構(gòu)分類( K5 f0 D1 k+ M; P: ^( B
  晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝(簡(jiǎn)稱金封)晶體管、塑料封裝(簡(jiǎn)稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡(jiǎn)稱玻封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。
" h8 i3 D& t: t" x/ A0 s  按功能和用途分類
, }  D, r# D) r8 b: @  晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。
7 h2 \+ d; x3 [- S2 A) n5 I  【晶體管出現(xiàn)的意義】
7 v* V8 q* _( \$ |  晶體管的出現(xiàn),是電子技術(shù)之樹(shù)上綻開(kāi)的一朵絢麗多彩的奇葩。
  c) ^( Z/ i% T! u) N; V6 I  同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:
0 O* z3 l: t7 r1 K) B4 M 、倬w管的構(gòu)件是沒(méi)有消耗的。無(wú)論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。) I3 \3 U* ~9 Q8 z
 、诰w管消耗電能極少,僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺(tái)晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽(tīng)下去,這對(duì)電子管收音機(jī)來(lái)說(shuō),是難以做到的。5 r+ A" C! }+ w. u2 r0 C$ N6 ~
 、劬w管不需預(yù)熱,一開(kāi)機(jī)就工作。例如,晶體管收音機(jī)一開(kāi)就響,晶體管電視機(jī)一開(kāi)就很快出現(xiàn)畫面。電子管設(shè)備就做不到這一點(diǎn)。開(kāi)機(jī)后,非得等一會(huì)兒才聽(tīng)得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測(cè)量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢(shì)的。& q# ?3 r0 L0 J" l$ S. v
  ④晶體管結(jié)實(shí)可靠,比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動(dòng),這都是電子管所無(wú)法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡(jiǎn)便,有利于提高元器件的安裝密度。
) h% ?4 m- ?, O; j  正因?yàn)榫w管的性能如此優(yōu)越,晶體管誕生之后,便被廣泛地應(yīng)用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國(guó)防建設(shè)以及人們?nèi)粘I钪小?953年,首批電池式的晶體管收音機(jī)一投放市場(chǎng),就受到人們的熱烈歡迎,人們爭(zhēng)相購(gòu)買這種收音機(jī)。接著,各廠家之間又展開(kāi)了制造短波晶體管的競(jìng)賽。此后不久,不需要交流電源的袖珍“晶體管收音機(jī)”開(kāi)始在世界各地出售,又引起了一個(gè)新的消費(fèi)熱潮。
# g% j8 Q0 @' h4 }8 p/ h: f/ Q+ ]  由于硅晶體管適合高溫工作,可以抵抗大氣影響,在電子工業(yè)領(lǐng)域是最受歡迎的產(chǎn)品之一。從1967年以來(lái),電子測(cè)量裝置或者電視攝像機(jī)如果不是“晶體管化”的,那么就別想賣出去一件。輕便收發(fā)機(jī),甚至車載的大型發(fā)射機(jī)也都晶體管化了。7 J8 I: }% @$ T7 K: F
  另外,晶體管還特別適合用作開(kāi)關(guān)。它也是第二代計(jì)算機(jī)的基本元件。人們還常常用硅晶體管制造紅外探測(cè)器。就連可將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿碾姵亍?yáng)能電池也都能用晶體管制造。這種電池是遨游于太空的人造衛(wèi)星的必不可少的電源。晶體管這種小型簡(jiǎn)便的半導(dǎo)體元件還為縫紉機(jī)、電鉆和熒光燈開(kāi)拓了電子控制的途徑。1 \) q; a/ U+ g  S: Y* c
  從1950年至1960年的十年間,世界主要工業(yè)國(guó)家投入了巨額資金,用于研究、開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)晶體管和半導(dǎo)體器件。例如,純凈的鍺或硅半導(dǎo)體,導(dǎo)電性能很差,但加入少量其它元素(稱為雜質(zhì))后,導(dǎo)電性能會(huì)提高許多。但是要想把定量雜質(zhì)正確地熔入鍺或硅中,必須在一定的溫度下,通過(guò)加熱等方法才能實(shí)現(xiàn)。而一旦溫度高于攝氏75度,晶體管就開(kāi)始失效。為了攻克這一技術(shù)難關(guān),美國(guó)政府在工業(yè)界投資數(shù)百萬(wàn)美元,以開(kāi)展這項(xiàng)新技術(shù)的研制工作。在這樣雄厚的財(cái)政資助下,沒(méi)過(guò)多久,人們便掌握了這種高熔點(diǎn)材料的提純、熔煉和擴(kuò)散的技術(shù)。特別是晶體管在軍事計(jì)劃和宇宙航行中的威力日益顯露出來(lái)以后,為爭(zhēng)奪電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)地位,世界各國(guó)展開(kāi)了激烈的競(jìng)爭(zhēng)。為實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的小型化,人們不惜成本,紛紛給電子工業(yè)以巨大的財(cái)政資助。4 r' ~3 m( y) A
  自從1904年弗萊明發(fā)明真空二極管,1906年德福雷斯特發(fā)明真空貼片三極管以來(lái),電子學(xué)作為一門新興學(xué)科迅速發(fā)展起來(lái)。但是電子學(xué)真正突飛猛進(jìn)的進(jìn)步,還應(yīng)該是從晶體管發(fā)明以后開(kāi)始的。尤其是PN結(jié)型晶體管的出現(xiàn),開(kāi)辟了電子器件的新紀(jì)元,引起了一場(chǎng)電子技術(shù)的革命。在短短十余年的時(shí)間里,新興的晶體管工業(yè)以不可戰(zhàn)勝的雄心和年輕人那樣無(wú)所顧忌的氣勢(shì),迅速取代了電子管工業(yè)通過(guò)多年奮斗才取得的地位,一躍成為電子技術(shù)領(lǐng)域的排頭兵。+ a2 ]2 E6 `- r
  【晶體管的作用】
' N/ e# ]$ S$ p" R& ~. i. o1 s 。ㄒ唬┛刂拼蠊β
( s" z2 p4 \! j- _" g9 H/ I4 ~  現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,
/ w3 D. u/ }) ~  f4 b3 E$ i# C' \  (2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,
. E9 C+ i. N1 |# m. V& L0 c  (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V,應(yīng)有盡有.幾年前,晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前,它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力,改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管有效芯片面積的增加,: A( V$ [& w# I$ D
  (2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化,
3 |" C. O" L1 P; K2 Z5 x4 f! T  (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓,3 s% T6 p5 o' p
  (4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、(二)直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開(kāi)關(guān)能力的方法。
7 R1 V- _# _, m3 H  在這樣的大功率電路中,存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開(kāi)關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。
9 _  s. b  ]* [( P6 @! T2 H 。ㄈ┖(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能2 g0 H1 A/ I0 q) ?! `
  今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管,還保護(hù)功率晶體管,稱之為“非集中保護(hù)” (和集中保護(hù)對(duì)照)。集成驅(qū)動(dòng)電路的功能包括:
- f  ]5 x2 Z: V/ [- u2 T- R  (1)開(kāi)通和關(guān)斷功率開(kāi)關(guān);
7 R- T, m& h5 p5 [' N  (2)監(jiān)控輔助電源電壓;
8 l+ a; I- @! A  ~5 F1 c; w4 M  (3)限制最大和最小脈沖寬度;
" ?: C9 B+ X  N8 S3 A  (4)熱保護(hù);2 a. [$ L  d, {; E, \
  (5)監(jiān)控開(kāi)關(guān)的飽和壓降。
$ M4 S0 V( o2 p  品牌:ST MICROELECTRONICS SEMI
. `4 G+ i9 E  m6 m% N  型號(hào):BAT54JFILM http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2590.html
% m! g' ]4 h. G7 n  應(yīng)用范圍:振蕩) x: E5 L0 y* b4 [0 f; A1 ?: T
  材料:其他7 v8 {+ V7 y! K, N$ A
  封裝形式:sop dip9 i4 O  a; M9 W  H5 \+ d
  二極管類型:肖特基
/ c9 X" C# R1 p! p; R  Voltage-DCReverse(Vr)(Max):40V
2 _/ o4 I( u) ^( Y' ?5 N  電流-平均整流(Io):300mA(DC)
4 y- k- W# z7 @( G/ ~  不同If時(shí)的電壓-正向(Vf):900mV @ 100mA
0 }# v9 \! S; A" o6 A  速度:快速恢復(fù) =< 500 ns,> 200mA(Io)6 N/ B; j3 J, n/ y
  反向恢復(fù)時(shí)間(trr):5ns, I: V) a1 T% H) N0 z, h
  不同 Vr時(shí)的電流-反向漏電流:1?A @ 30V
4 J; b- i# h' _+ D- A& X  不同 Vr,F(xiàn)時(shí)的電容:10pF @ 1V,1MHz
1 o0 N1 E8 b7 ]8 L( k# `- \) ]4 N  安裝類型:表面貼裝/ E( t; q% ~7 i( ^, T* E( w
  封裝/外殼:SOD-323! Q3 \( V& u3 v0 q" E
  工作溫度-結(jié):-40°C ~ 150°C+ a" H7 c) g; C: n( W: D
3 N8 ~& H6 b- u* T' J! b

3 i& ?3 }" r/ H2 W4 V% y6 s$ |+ B
8 |5 _/ R% \  {- ?6 Q) Y; Z  g  ?2 q( G( G( Z* W

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