電子電路分析的mos管分析

我和玲佑有個約

7相關(guān)概念
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BJT

Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；
8 e( r9 k7 T8 c  f4 nFET
2 d4 R$ o8 g' Q/ EField Effect Transistor 場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）
; }! l7 L( |4 |+ b& Y( B2 @" V兩大類
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按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
" L2 ~! f2 j! U8 M! y按導電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。
4 @) q% M' b8 [總的來說場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。