電子電路分析的mos管分析

我和玲佑有個約

7相關(guān)概念

# B4 @  z" r; E% h; b+ K4 NBJT
. V) h* p' Z5 K& m3 i5 @
% H2 E+ [5 i2 ^: O6 uBipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；
) ~9 Z6 M* _: j" MFET
Field Effect Transistor 場效應晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
按結(jié)構(gòu)場效應管分為：結(jié)型場效應（簡稱JFET）、絕緣柵場效應（簡稱MOSFET）
' N8 c+ A4 \8 P$ h兩大類
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4 H5 P" _) q9 y按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
9 F: H% R) g, q  {5 T按導電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
總的來說場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

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