電子電路分析的mos管分析

我和玲佑有個約

7相關(guān)概念
: s- F0 \: q; S
, ^2 C" `: V+ K3 Q1 JBJT
* M* z% O; j' Q: R; H
* V) R& x& Q0 z3 X! Q: uBipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；
FET
Field Effect Transistor 場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
& n. R( U) j# [& H  Z+ h# b按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）
兩大類
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按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。
  `" U+ R) m2 u6 |3 m總的來說場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。



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