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意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款靈活多用的電源模塊

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發(fā)表于 2022-9-14 15:02:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
2022年9月13日,中國-意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款內(nèi)置1200V碳化硅的主流配置&#40。SiC&#41。STPOWER MOSFET功率模塊。兩個模塊均采用意法半導(dǎo)體的ACEPACK2封裝技術(shù),實現(xiàn)高功率密度和易于安裝。
3 R0 O6 }: A; Z) p3 C% e+ r! I7 @
* F9 m- d. ]6 U7 e  T8 [意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款敏捷功率模塊,簡化SiC逆變器設(shè)計。邏輯門和逆變器; d6 [+ W- y$ h/ O8 ]' u
2 s. r4 F( X: _+ k/ ^

3 U4 b) ^/ i$ t, |3 _第一個模塊,A2F12M12W2-F1,是一個四組模塊,提供了一個便于和輕巧的全橋電源轉(zhuǎn)換解決方案,如DC/DC轉(zhuǎn)換器電路。FIFO存儲器$ M/ p, d. a+ z- k5 i

+ a, h3 ?& |6 C7 T/ P
& e% Q( G& {8 C& M# x0 }6 P第二個模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),開通和開關(guān)效率出色,輸出電壓質(zhì)量平穩(wěn)。鎖存器
7 ]) S0 f- g" ]* ?, k# n' k% O1 [2 o8 A

! `! K" U, @% R: P+ q兩個模塊之中的MOSFET均采用意法半導(dǎo)體的第二代SiC技術(shù)RDS&#40。關(guān)于&41。芯片面積質(zhì)量指標(biāo)出色,確保開關(guān)能處理小電流,功率損耗降至極高。。每個芯片RDS&#40的典型導(dǎo)通電阻。關(guān)于&41。13mΩ、全橋拓?fù)浜蚑拓?fù)淠K都可用于設(shè)計高功率應(yīng)用,而低散熱則確保了優(yōu)異的能效和直觀的冷管理設(shè)計。) ]0 Q; _! ~6 T7 v9 ^2 m. N) m/ s

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ACEPACK2封裝尺寸輕巧,功率密度低,采用高效氧化鋁基板和間接覆銅箔&#40。DBC&#41。芯片貼裝技術(shù)。內(nèi)部連接為壓接插腳,可巧妙安裝在可能嚴(yán)峻的環(huán)境之中,例如,電動汽車&#40。EV&41型。和充電樁、儲能和太陽能發(fā)電轉(zhuǎn)換的場景。封裝具有2.5 kV均方根的絕緣耐壓和內(nèi)置NTC溫度傳感器,可用于裝置保護診斷。
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