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2022年9月13日,中國-意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款內(nèi)置1200V碳化硅的主流配置&#40。SiC&#41。STPOWER MOSFET功率模塊。兩個模塊均采用意法半導(dǎo)體的ACEPACK2封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)高功率密度和易于安裝。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款敏捷功率模塊,簡化SiC逆變器設(shè)計(jì)。邏輯門和逆變器6 `" S' g# l2 F$ Y
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第一個模塊,A2F12M12W2-F1,是一個四組模塊,提供了一個便于和輕巧的全橋電源轉(zhuǎn)換解決方案,如DC/DC轉(zhuǎn)換器電路。FIFO存儲器
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第二個模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),開通和開關(guān)效率出色,輸出電壓質(zhì)量平穩(wěn)。鎖存器
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兩個模塊之中的MOSFET均采用意法半導(dǎo)體的第二代SiC技術(shù)RDS&#40。關(guān)于&41。芯片面積質(zhì)量指標(biāo)出色,確保開關(guān)能處理小電流,功率損耗降至極高。。每個芯片RDS&#40的典型導(dǎo)通電阻。關(guān)于&41。13mΩ、全橋拓?fù)浜蚑拓?fù)淠K都可用于設(shè)計(jì)高功率應(yīng)用,而低散熱則確保了優(yōu)異的能效和直觀的冷管理設(shè)計(jì)。
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' k& Z! z. T3 D" s- _ACEPACK2封裝尺寸輕巧,功率密度低,采用高效氧化鋁基板和間接覆銅箔&#40。DBC&#41。芯片貼裝技術(shù)。內(nèi)部連接為壓接插腳,可巧妙安裝在可能嚴(yán)峻的環(huán)境之中,例如,電動汽車&#40。EV&41型。和充電樁、儲能和太陽能發(fā)電轉(zhuǎn)換的場景。封裝具有2.5 kV均方根的絕緣耐壓和內(nèi)置NTC溫度傳感器,可用于裝置保護(hù)診斷。6 T# W: O( Q' R- ^. W @; X
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