電子電路分析的mos管分析

我和玲佑有個(gè)約

7相關(guān)概念
" H. s) o, \$ Z- d* ]
% i1 K* d0 L5 S8 ]# \BJT
9 A: ]9 Y# S# O  T* u* I
9 j/ F% ~( Q8 `, nBipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；
& i1 w4 [6 W( ]FET
Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）
兩大類
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) L- P# Q( M* k% g% ?5 Q按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。
總的來說場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
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