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1、 主面：primary side
8 Z0 z O# v( O; x& c2、 輔面：secondary side0 c) h+ p. C( }& a, S% P# F
3、 支撐面：supporting plane
! F3 l/ Q8 }8 K' T5 o" o) q! J; D, z4、 信號(hào)：signal; U0 t3 Z8 X3 O% _+ {( e
5、 信號(hào)導(dǎo)線：signal conductor
' ?# i) p" x; U6、 信號(hào)地線：signal ground3 n, n W& N; ?
7、 信號(hào)速率：signal rate3 z; G0 v3 i% W( \- N
8、 信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)化：signal standardization0 v1 ]$ Q# S w+ p! J
9、 信號(hào)層：signal layer
. N6 d3 m+ H5 D9 `* z' V# [5 P3 F10、 寄生信號(hào)：spurious signal; K; u7 z) J3 _# j+ q+ F7 F4 Y2 ^* B
11、 串?dāng)_：crosstalk: K. z, v: ]5 o# l, B5 k
12、 電容：capacitance
9 c, V' m4 \6 C$ e) w/ ^7 B1 o13、 電容耦合：capacitive coupling* }. W5 O8 J. l l1 O
14、 電磁干擾：electromagnetic interference6 O' J# d$ t4 u, v9 x7 P/ |+ o% G
15、 電磁屏蔽：electromangetic shielding
0 L6 [/ S" M- ~/ C# z( h) r16、 噪音：noise
4 @" b" R6 |& h9 R17、 電磁兼容性：electromagnetic compatbility( _# I6 @) W, o5 V# K' h1 a/ t
18、 特性阻抗：impedance
0 V; E. ~. V* {0 m% y, b% t19、 阻抗匹配：impedance match
& J( U/ _" n6 _9 G20、 電感：inductance$ p$ y5 s, @6 p; n, Q) g9 U+ X
21、 延遲：delay3 t# n+ {0 Q1 n: k
22、 微帶線：microstrip
+ n. t* C' Q8 A7 J7 Q! r. p23、 帶狀線：stripline
1 K9 J1 W/ |) J6 V: _9 H24、 探測(cè)點(diǎn)：probe point
& x- Y2 a' z9 `3 }4 V; {" j25、 開窗口：cross hatching6 d/ j9 j9 a2 f" G \
26、 跨距：span4 z' }5 z1 y9 }# ]. A. ?; R, K
27、 共面性（度）：coplanarity1 Z9 x6 ^" f, r
28、 埋入電阻：buried resistance
/ u3 x6 q; e8 z& T/ i29、 黃金板：golden board2 j9 `: E" S7 n3 _4 V
30、 芯板：core board
# e9 Y: s4 ~7 U% e& V4 M31、 薄基芯：thin core
" O1 N) r+ F3 f9 D32、 非均衡傳輸線：unbalanced transmission line W, ?" ~6 e+ ^3 }& i
33、 閥值：threshold$ u: s6 B1 W" p: l8 D& {' k8 {
34、 極限值：threshold limit value(TLV)3 u3 k; j6 |; R
35、 散熱層：heat sink plane. C$ c- P* u m
36、 熱隔離：heat sink plane
- M- F. d# i' g' |. x0 G5 o37、 導(dǎo)通孔堵塞：via filiing
( _3 @3 ]6 k! P9 Z; Z1 J38、 波動(dòng)：surge& _' [6 X1 U: e
39、 卡板：card
+ \* Z: v7 F; J" ^3 R40、 卡板盒/卡板柜：card cages/card racks1 u# C& g2 o# D- @' m6 G
41、 薄型多層板：thin type multilayer board' f5 q+ L- H; G: N& H( d9 @* f- U: f
42、 埋/盲孔多層板：8 x/ n3 v; P: u5 c9 p% M0 M9 T% S
43、 模塊：module
# W9 ]0 c9 c/ q- Z& c& D8 ~44、 單芯片模塊：single chip module (SCM)$ [. T0 h( u) v d e
45、 多芯片模塊：multichip module (MCM) p$ ~* |" k* K, ?) }8 y
46、 多芯片模塊層壓基板：laminate substrate version of multichip module (MCM-L)
! E( M- g, c. A- d* G47、 多芯片模塊陶瓷基數(shù)板：ceramic substrate version o fmultichip module (MCM-C)% `8 W, h8 b" l l5 ?
48、 多芯片模塊薄膜基板：deposition thin film substrate version of multilayer module (MCM-D)
! M+ U* U& x: R% F: {0 ^$ S/ A% n7 u49、 嵌入凸塊互連技術(shù)：buried bump interconnection technology (B2 it)
7 @" J" v d, f$ D H' o6 Z50、 自動(dòng)測(cè)試技術(shù)：automatic test equipment (ATE)
4 V) @+ Q: P) j$ H! F! `4 B w( h51、 芯板導(dǎo)通孔堵塞：core board viafilling$ y2 }. L3 t% d/ w4 Y+ g$ M7 l
52、 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記：alignment mark; d3 c- w( G" M- Y' u9 O# u
53、 基準(zhǔn)標(biāo)記：fiducial mark
' |* R; g! g! n1 o/ D: H @54、 拐角標(biāo)記：corner mark
) z0 H+ c& c5 F; \8 q7 x55、 剪切標(biāo)記：crop mark: a) L; X: T/ S* J. U
56、 銑切標(biāo)記：routing mark
7 H! h9 l5 B; j( [9 j' q% N* s57、 對(duì)位標(biāo)記：registration mark
! l; X; ?* _+ d1 R58、 縮減標(biāo)記：reduvtion mark
& O. a- q3 }% T8 ]3 ?59、 層間重合度：layer to layer registration' n! e0 l3 ~1 L- k& N8 S
60、 狗骨結(jié)構(gòu)：dog hone* e0 @; T. f& V* R
61、 熱設(shè)計(jì)：thermal design
/ Z" a6 u% l ]6 i62、 熱阻：thermal resistance
0 B% U; W% X# N$ l$ U. a2 ^6 V4 x |
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電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺(tái)
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