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1、 定義 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可經(jīng) SD 卡轉(zhuǎn)換器后，當(dāng) SD 卡使用。 TF 卡產(chǎn)品
) M( T6 W. y% b! \ g采用 SD 架構(gòu)設(shè)計(jì)而成， SD 協(xié)會(huì)于2004年年底正式將其更名為 Micro SD ， 已成為 SD 產(chǎn)品中的一員 。: D$ v. K, ~) K9 s9 b7 v
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一
0 z4 o* n- ^+ K0 M2 T! B4 H% x, |代記憶設(shè)備。 9 K8 t( l3 n5 z5 U6 o, ]
" g4 B5 y1 D3 R
CLK:時(shí)鐘信號。
1 n8 G5 j+ L ]* b1 {1 ], HCMD:雙向命令和響應(yīng)信號。
" t& s! {1 I: n2 KDAT0-3:雙向數(shù)據(jù)信號。. S% F0 q3 ?# y1 l' D8 [
VDD、 VSS:電源和地信號。
* q( H: S7 A: ]CD：卡檢測。
/ G) ?9 L! A7 \. j! Q5 M) U
' K. M3 M2 g/ \$ {/ |5 Y" z2、阻抗控制要求
: p: \1 a7 o, m) V單端阻抗控制在50歐姆。
4 `" B" q& Z0 ?: J3、 走線要求6 @8 u# N$ m2 t/ Q" H, C
所有的信號線盡量走在同一層,參考GND平面，盡量避免夸分割的情況出現(xiàn)，
; K# a- B, @7 W# I9 M特別是時(shí)鐘線。數(shù)據(jù)線控制線參照時(shí)鐘線盡量等長，誤差可以放寬點(diǎn)。做到+/-300mil即可。時(shí)鐘線在空間足夠的情況下，采取包地處理。如果做不到，盡量拉開時(shí)鐘線與其他信號線之間的距離。 大于 3W。在打孔換層的地方增加回流地過孔，縮短回流路徑。電源和地走線加寬，請注意載流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盤之間的間距，不能太近，預(yù)防連錫。（ 1.5mm 適宜）
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