電子電路分析的mos管分析

我和玲佑有個約

7相關(guān)概念
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4 F. z- ?3 {3 a) |BJT
5 a. N' _/ E0 D
Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；
2 B$ G2 H' K& K0 @" G4 CFET
Field Effect Transistor 場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）
( ^3 `; \9 u1 Q7 Q. V兩大類
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按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
. N; p  D/ c0 F; B$ _按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。
. E. j! i4 p: C總的來說場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
3 I: \% u1 R! U5 Y

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