意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款靈活多用的電源模塊

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2022年9月13日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款內(nèi)置1200V碳化硅的主流配置＆＃40。SiC＆＃41。STPOWER MOSFET功率模塊。兩個(gè)模塊均采用意法半導(dǎo)體的ACEPACK2封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高功率密度和易于安裝。

* N. ^0 f3 B$ _- r  h意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款敏捷功率模塊，簡(jiǎn)化SiC逆變器設(shè)計(jì)。邏輯門和逆變器


8 l7 I/ ?  ?' i第一個(gè)模塊，A2F12M12W2-F1，是一個(gè)四組模塊，提供了一個(gè)便于和輕巧的全橋電源轉(zhuǎn)換解決方案，如DC/DC轉(zhuǎn)換器電路。FIFO存儲(chǔ)器


第二個(gè)模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，開通和開關(guān)效率出色，輸出電壓質(zhì)量平穩(wěn)。鎖存器
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7 I; C8 _' j" T4 I6 b兩個(gè)模塊之中的MOSFET均采用意法半導(dǎo)體的第二代SiC技術(shù)RDS＆＃40。關(guān)于＆41。芯片面積質(zhì)量指標(biāo)出色，確保開關(guān)能處理小電流，功率損耗降至極高。。每個(gè)芯片RDS＆＃40的典型導(dǎo)通電阻。關(guān)于＆41。13mΩ、全橋拓?fù)浜蚑拓?fù)淠�塊都可用于設(shè)計(jì)高功率應(yīng)用，而低散熱則確保了優(yōu)異的能效和直觀的冷管理設(shè)計(jì)。

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( y- d" `- H5 O: K# Y" o$ g. TACEPACK2封裝尺寸輕巧，功率密度低，采用高效氧化鋁基板和間接覆銅箔＆＃40。DBC＆＃41。芯片貼裝技術(shù)。內(nèi)部連接為壓接插腳，可巧妙安裝在可能嚴(yán)峻的環(huán)境之中，例如，電動(dòng)汽車＆＃40。EV＆41型。和充電樁、儲(chǔ)能和太陽能發(fā)電轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。封裝具有2.5 kV均方根的絕緣耐壓和內(nèi)置NTC溫度傳感器，可用于裝置保護(hù)診斷。

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