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DDR布局的那些事

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發(fā)表于 2017-1-4 18:00:49 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
作者:一博科技" U" I. t1 @5 k/ M- v
- w% Q' e- H; u9 k
前面高速先生團隊已經(jīng)講解過眾多的DDR3理論和仿真知識,下面就開始談談我們LATOUT攻城獅對DDR3設計那些事情了,那么布局自然是首當其沖了。
& M. W2 r& M' r9 F* p2 Q: q! v3 s. k6 k5 l- B1 X! C! F
對于DDR3的布局我們首先需要確認芯片是否支持FLY-BY走線拓撲結(jié)構(gòu),來確定我們是使用T拓撲結(jié)構(gòu)還是FLY-BY拓撲結(jié)構(gòu).。! ^1 D6 j- }5 I
# x7 L3 K3 x7 @3 c; Z
常規(guī)我們DDR3的布局滿足以下基本設計要求即可:  
7 K: U% y8 R8 L5 w% d7 W0 q) o) R0 w1 U* H
1.考慮BGA可維修性:BGA周邊器件5MM禁布,最小3MM。                                            ' o& w0 d/ D6 _! k3 R
2.DFM 可靠性:按照相關(guān)的工藝要求,布局時器件與器件間滿足DFM的間距要求;且考慮元件擺放的美觀性。. L1 t8 F4 e' z& z9 d% p) r
3.絕對等長是否滿足要求,相對長度是否容易實現(xiàn):布局時需要確認長度限制,及時序要求,留有足夠的繞等長空間。
# }4 U) V6 y- K' ?: N4.濾波電容、上拉電阻的位置等:濾波電容靠近各個PIN放置,儲能電容均勻放置在芯片周邊(在電源平面路徑上);上拉電阻按要求放置(布線長度小于500mil)。                               5 `) K4 m2 y) m) F0 M, Z
注意:如有提供DEMO板或是芯片手冊,請按照DEMO板或是芯片手冊的要求來做。
5 e/ y! r, _' n1 \8 Q- p
# u1 c8 W) S9 I$ ^1.濾波電容的布局要求 8 ]3 [3 m9 u, P  A$ n2 X% K0 a
           5 k3 F( O7 \# v) |
電源設計是pcb設計的核心部分,電源是否穩(wěn)定,紋波是否達到要求,都關(guān)系到CPU系統(tǒng)是否能正常工作。濾波電容的布局是電源的重要部分,遵循以下原則: + j& K0 U3 l% }4 L( o
# x9 ?/ F7 K6 P, ~
CPU端和DDR3顆粒端,每個引腳對應一個濾波電容,濾波電容盡可能靠近引腳放置。
4 T, R5 N3 n$ h' f& B, ^線短而粗,回路盡量短;CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲能電容,DDR3顆粒每片至少有一個儲能電容。
+ I# V! n# q/ m; }, q
6 C/ x( Y( r" z# S4 \7 P

1 `! n7 j* l5 z
圖1:VDD電容的布局(DDR顆粒單面放)

2 \+ O$ C$ g1 S4 ~
$ O! J# q: F/ h
如圖2所示:VDD電容的布局(DDR顆粒正反貼)

! [. Z8 [! D$ S4 I+ O7 V  f5 j8 CDDR 正反貼的情況,電容離BGA 1MM,就近打孔;如可以跟PIN就近連接就連接在一起。9 P; @" ^( w( O, G$ U

) T1 p3 i; g/ D/ O1 _, O) p2.VREF電路布局    
+ c3 b  _2 o1 R$ L9 `2 y: m在DDR3中,VREF分成兩部分:  
9 r. N. ~' v  k$ {                                                                     ( K6 Q' m. |- }" L: P6 k' ^
一個是為命令與地址信號服務的VREFCA;另一個是為數(shù)據(jù)總線服務的VREFDQ。                                       
$ [: _( m" g* a8 }在布局時,VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近芯片的電源引腳,如圖3所示。                                                                                                               
  T3 n) E) K7 q$ `  E2 }# |5 D7 O% R$ S9 }- D( |( D: P
                                 
$ I$ H% Z) \' q. G$ T
圖3:VREF電路布局

, ]* Q7 G1 ^0 W; g; O2 H; |) `, u$ {: c) ~5 F. V4 w
3.匹配電阻的布局9 `& F& l" a/ r6 n

5 u  _+ A' e, d4 s7 H; D4 d為了提高信號質(zhì)量,地址、控制信號一般要求在源端或終端增加匹配電阻;數(shù)據(jù)可以通過調(diào)節(jié)ODT 來實現(xiàn),所以一般建議不用加電阻。# p# P/ h; O- R

+ E" n+ g2 ?4 }: {8 }) u# k% d0 \& H0 e) _布局時要注意電阻的擺放,到電阻端的走線長度對信號質(zhì)量有影響。% ]! {) V/ Z1 ]! K" U

# O* Z. H9 G" Q( j- ]  s% G3 l布局原則如下:
  d. Q0 G0 s& q% k- R
7 h/ j. W# ^; a3 J/ k- c對于源端匹配電阻靠近CPU(驅(qū)動)放,而對于并聯(lián)端接則靠近負載端(FLy-BY靠近最后一個DDR3顆粒的位置放置而T拓撲結(jié)構(gòu)是靠近最大T點放置)
) C9 q; R( D+ l" c+ {0 S7 E( a, u) M! r( z# J
下圖是源端匹配電阻布局示意圖;
3 G  l, a3 d4 R6 ?2 j/ L3 P" I7 [2 X, p5 ~9 _( X. y
! V" L/ f) }) s3 E2 x
圖4:源端匹配電阻

! C. u) v8 l" B2 R# j

  E- g/ w# U* N% ^9 u2 L% Q( f
圖4:并聯(lián)端接
5 M6 e5 J1 T9 O; F  g& \
/ c4 R1 G+ b: w5 M
而對于終端VTT上拉電阻要放置在相應網(wǎng)絡的末端,即靠近最后一個DDR3顆粒的位置放置(T拓撲結(jié)構(gòu)是靠近最大T點放置);注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好;走線長度小于500mil;每個VTT上拉電阻對應放置一個VTT的濾波電容(最多兩個電阻共用一個電容);VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接,所以放置濾波電容時需要兼顧兩方面,一方面要保證有一定的電源通道,另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠,以免影響濾波效果。 0 e( l' F8 M# F( F8 h# t( \6 i

0 t& b3 C: R. E- H. e4 O1 J

- |: D& x& I" w# q0 h* b( Q- L
圖5:VTT濾波電容

# l7 ^' N$ J+ X* `. a2 a! d4 b6 z& r, R8 ~8 P9 {! M
DDR3的布局基本沒有什么難點,只是要注意諸多細節(jié)之處,相信大家都已經(jīng)學會。) W5 Q) b# G. W3 j. s% ~$ _

# n% n+ p1 ]. P( [% C5 P% b; B, u$ p" ~" l" h( y
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發(fā)表于 2017-1-4 18:28:16 | 只看該作者
BGA區(qū)域內(nèi)和區(qū)域外做等長哪個好點?
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發(fā)表于 2017-2-10 16:54:08 | 只看該作者
chenzhouyu 發(fā)表于 2017-1-4 18:281 x; e0 G0 I4 }5 ^- ^+ J. j
BGA區(qū)域內(nèi)和區(qū)域外做等長哪個好點?
! F" U5 b* r3 {2 v3 p, _- N
看布線空間,空間允許的情況下,最好做即時等長
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發(fā)表于 2017-2-10 21:03:13 | 只看該作者
edadoc 發(fā)表于 2017-2-10 16:54$ r  X! [$ u1 Q
看布線空間,空間允許的情況下,最好做即時等長
! g3 K* D( C6 R. |! ?4 G
多謝指導!
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發(fā)表于 2017-2-15 20:30:27 | 只看該作者
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發(fā)表于 2018-12-7 16:40:24 | 只看該作者
正在努力學習中,希望能幫到我 感謝
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發(fā)表于 2018-12-8 19:16:15 | 只看該作者
下載大神的的原創(chuàng)~~666
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發(fā)表于 2018-12-9 06:36:46 | 只看該作者
下載了,.....
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發(fā)表于 2018-12-9 10:29:08 | 只看該作者
正好需要,感謝分享 贊...
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發(fā)表于 2018-12-10 11:01:53 | 只看該作者
新手,下載學習下!
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