DDR布線要求:①特性阻抗:單端50歐,差分100歐②數(shù)據(jù)線每組盡量走在同一層(D0~D7,LDM,LDQS),(D8~D15,UDM,UDQS )*信號線的間距滿足3W原則,數(shù)據(jù)線、地址(控制)線、時鐘線之間的距離保持20mil以上或至少3W④空間允許的情況下,應該在它們走線之間加一根地線進行隔離。地線寬度推薦為15-30mil*VREF電源走線先經過電容再進入管腳,Vref電源走線線寬推薦不小于20mil,與同層其他信號線間距最好20mil以上。⑥所有信號線都不得跨分割,且有完整的參考平面,換層時,如果改變了參考層,要注意考慮增加回流地過孔或退藕電容。⑦兩片以上的DDR布線拓撲結構優(yōu)選遠端分支,T點的過孔打在兩片DDR中間;*菊花鏈需得到仿真驗證或芯片layout Guide要求。*所有DDR信號距離相應參考平面邊沿至少30-40mil。任何非DDR部分的信號不得以DDR電源為參考。
作業(yè):http://uveoboh.cn/forum.php?mod=attachment&aid=MTkyNzIzfDZjYjU4ZDlmZTFlY2I3YjI2MDU2MTVkMmY0NWIxYzRifDE3MzQ4ODM3MTQ%3D&request=yes&_f=.brd
|